La Evolución de la Memoria RAM: Un Salto hacia la Tridimensionalidad
Pocos habrían adivinado hace no tantos años la transformación de Intel. La empresa que dominara durante generaciones los procesadores de consumo y servidores ha pasado un auténtico calvario por el desierto bajo el dominio de AMD. Sin embargo, han vuelto por sus fueros y no sólo se han posicionado para ser la gran fundición estadounidense, sino que buscan pegar un mordisco a la gigantesca industria surcoreana de memoria RAM gracias a su nueva memoria: la memoria ZAM.
La Tercera Dimensión: El Eje Z
Y su arma es la tridimensionalidad. Z de ‘zolución’. ¿Recuerdas cuando, en clase de matemáticas, dibujaste el primer cubo? El eje X es este-oeste. El eje Y es norte-sur. Lo que necesitaba el cuadrado para convertirse en un cubo es el eje Z, el de arriba y abajo. Eso es lo que los ingenieros de SAIMEMORY, la empresa resultante de la colaboración entre la japonesa SoftBank e Intel, han aplicado a la memoria DRAM tradicional con un único objetivo: asaltar el enorme mercado de la memoria de alto ancho de banda, o HBM, que domina los centros de datos.
La Memoria ZAM: Una Alternativa Real
La memoria HBM es la preferida para los centros de datos debido a que cuenta con un ancho de banda bestial que permite un mayor número de operaciones simultáneas. Es como una autopista enorme. Sin embargo, tiene limitaciones: es cara de producir, necesita mucha energía y se calienta tanto como para necesitar costosos sistemas de disipación. La memoria DRAM convencional no era una alternativa, pero Intel y SoftBank empezaron a ‘trastear’ con la memoria DRAM apilada. Es como un hojaldre de memoria RAM, cuya limitación principal llegaba a la hora de conectar cada una de esas delgadas capas de memoria para que el producto final tuviese las mismas capacidades que esa autovía que es la memoria HBM.
Innovación técnica: Intel ZAM Memoria RAM
Características y Ventajas de la Memoria ZAM
Tras unos meses de investigación, hace unos días en el Intel Connection de Japón, SAIMEMORY e Intel presentaron el prototipo de ZAM. Según las compañías, un módulo de ZAM puede contar con una capacidad de hasta 512 GB, es fácil de producir debido a que consiste en diseñar chips apilados verticalmente y lo más importante: puede reducir el consumo de energía entre un 40% y un 50% respecto a los HBM convencionales. Si los HBM son caros y tardan en producirse, los ZAM son más baratos, pueden ser la solución para aliviar las restricciones en la cadena de suministro y, además, bajarían el consumo de energía de los centros de datos, siendo además más fáciles de enfriar.
Contexto Histórico y Alianzas
La ambición de Intel es total, ya que apuntan que su tecnología de unión de módulos DRAM permite ofrecer de dos a tres veces la capacidad de los módulos HBM a la vez que es hasta un 60% más económico de producir. Todo parece una ventaja y no parece una mala tecnología cuando gigantes consolidados en la creación de memoria HBM como Samsung también están investigando cómo superar las limitaciones de las conexiones en la memoria DRAM apilada.
Fuente: Enlace original